采用新型的燃燒技術(shù)，如脈沖燃燒技術(shù)、高溫空氣燃燒技術(shù)、富氧燃燒技術(shù)等。浙江半導體生長爐脈沖燃燒技術(shù)是近年來開發(fā)的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術(shù)，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態(tài)。浙江半導體生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調(diào)節(jié)燃燒時間的占空比實現(xiàn)窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調(diào)整預先設(shè)定，無需在線調(diào)整，即可實現(xiàn)空氣過剩系數(shù)的控制。故脈沖燃燒技術(shù)傳熱效率高、能耗低、爐內(nèi)溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。

為去除工件塑性變形加工、切削加工或焊接造成的內(nèi)應力及鑄件內(nèi)從在的殘余應力而進行的退火。浙江半導體生長爐去應力退火一般在稍高于再結(jié)晶溫度下進行，鋼鐵材料一般在五百五十到六百五十攝氏度不等，熱模具鋼及高合金鋼可適當升高到六百五十攝氏度到七百五十攝氏度不等，退火時間與退火溫度有關(guān)。浙江半導體生長爐為了防止去應力退火后冷卻時再發(fā)生殘余應力，應緩冷至五百攝氏度出爐空冷，大截面工件需緩冷到三百攝氏度以下出爐空冷。?

爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。浙江半導體生長爐加熱元件采用北京首鋼產(chǎn)的高電阻合金布置在爐側(cè)。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統(tǒng)采用PID可控硅控制，精度高。浙江半導體生長爐在闡述這個問題前我們先來了解一下鑄件的生產(chǎn)過程：鑄件是通過加熱鑄件將其在爐內(nèi)融化成液體金屬澆鑄到與零件形狀相適應的鑄造空腔中，待其冷卻凝固后，獲得具有一定形狀、尺寸和性能金屬零件毛坯。

例如鈦合金于加熱和冷卻時發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變，低溫為α相密排六方結(jié)構(gòu))，高溫為β相體心立方結(jié)構(gòu)，其中間是“α+β”兩相區(qū)，即相變溫度區(qū)間。浙江半導體生長爐為了得到接近平衡的室溫穩(wěn)定組織和細化晶粒，也進行重結(jié)晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區(qū)間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉(zhuǎn)變?yōu)棣孪嗟募毿【Я＃?a href="/tag/%E6%B5%99%E6%B1%9F" target="_blank">浙江半導體生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉(zhuǎn)變?yōu)棣料嗷颚?β兩相的細小晶粒。