將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

操作者應遵守臺車式退火爐，退火熱處理的操作規(guī)程，仔細檢查儀表、熱電偶、電氣設備接地是否完好；廣西半導體生長爐如發(fā)現(xiàn)電線隔緣皮有破損，定要立向車間領導報告阻止發(fā)生觸電事故廣西半導體生長爐檢查加熱元件是否損壞，連接之間的接觸是否良好，爐底板及電阻絲是否完好，是否與爐體和殼體接觸。檢查溫度控制系統(tǒng)中是否有異?，F(xiàn)象。檢查爐門升降情況，臺車運行正常。嚴禁腐蝕性、揮發(fā)性和爆裂性氣體進入臺車式退火爐的爐體進行加工，以免影響退火爐的發(fā)熱元件和耐火材料的使用壽命，并引起爆裂事故。轉(zhuǎn)向架烘箱不應越過溫度，否則會縮短設備的使用壽命。在清潔爐之前，從轉(zhuǎn)向架上除去太多的氧化物。

爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。廣西半導體生長爐加熱元件采用北京首鋼產(chǎn)的高電阻合金布置在爐側。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統(tǒng)采用PID可控硅控制，精度高。廣西半導體生長爐在闡述這個問題前我們先來了解一下鑄件的生產(chǎn)過程：鑄件是通過加熱鑄件將其在爐內(nèi)融化成液體金屬澆鑄到與零件形狀相適應的鑄造空腔中，待其冷卻凝固后，獲得具有一定形狀、尺寸和性能金屬零件毛坯。

采用新型的燃燒技術，如脈沖燃燒技術、高溫空氣燃燒技術、富氧燃燒技術等。廣西半導體生長爐脈沖燃燒技術是近年來開發(fā)的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態(tài)。廣西半導體生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調(diào)節(jié)燃燒時間的占空比實現(xiàn)窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調(diào)整預先設定，無需在線調(diào)整，即可實現(xiàn)空氣過剩系數(shù)的控制。故脈沖燃燒技術傳熱效率高、能耗低、爐內(nèi)溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。