工件加熱到高于Ac3或Ac1的溫度，保持適當時間后，較快的冷卻到珠光體轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間的適當溫度并等溫保持，使奧氏體珠光體組織后在空氣中冷卻的退火。武漢半導體生長爐等溫退火的奧氏體化溫度一般與完全退火相同，對于合金含量較高的大型鑄鍛件可適當提高加熱溫度。武漢半導體生長爐等溫溫度越低，退火后的硬度越高。 等溫退火后的組織與硬度均勻性優(yōu)于完全退火，比較適合于與大型合金鋼鑄件。

燃料種類：與燃料熱值及燃燒的產(chǎn)物量有關(guān)，熱值越高、燃燒產(chǎn)物量越低，燃燒溫度越高。武漢半導體生長爐燃料和助燃空氣的溫度：它們的溫度越高，直接帶入的顯熱越多，可提高燃燒溫度。武漢半導體生長爐空氣過剩系數(shù)：適當?shù)目諝膺^剩系數(shù)，可以保證有較高的燃燒溫度。一般α略大于1過小，不完全燃燒；過大生成的煙氣量多，會使燃燒溫度降低助燃風中氧氣的濃度：提高氧氣濃度，將使燃燒產(chǎn)物減少，可以提高燃燒溫度。爐體散熱狀況及爐內(nèi)產(chǎn)品傳熱速度。

連續(xù)光亮退火爐用途：用于不同規(guī)格銅直管棒、鋼管、鋁管或盤園在控制氣氛下連續(xù)光亮退火特點：工件連續(xù)通過預熱、加熱、保溫、緩冷、冷卻，不受長度限制。武漢半導體生長爐傳動采用托輥式同步傳動，變頻調(diào)速，平穩(wěn)可靠。武漢半導體生長爐通保護氣氛和強力的熱氣氛循環(huán)，溫度均勻，內(nèi)外表面十分光亮。冷卻區(qū)設(shè)計獨特，保證工件均勻冷卻。處理的產(chǎn)品內(nèi)外表面光亮，產(chǎn)品質(zhì)量高，生產(chǎn)率高。加熱方式：電加熱或燃氣加熱

球化退火只應用于鋼的一種退火方法。武漢半導體生長爐將鋼加熱到稍低于或稍高于Ac1的溫度或者使溫度在A1上下周期變化，然后緩冷下來。武漢半導體生長爐目的在于使珠光體內(nèi)的片狀滲碳體以及先共析滲碳體都變?yōu)榍蛄?，均勻分布于鐵素體基體中這種組織稱為球化珠光體。具有這種組織的中碳鋼和高碳鋼硬度低、被切削性好、冷形變能力大。對工具鋼來說，這種組織是淬火前的原始組織。

加熱元件采用高溫合金電阻帶經(jīng)特殊加工成形，采用耐熱陶瓷螺釘固定，既保證絕緣又能保證加熱元件的快速散熱性，從而確保其使用壽命比一般廠家長二到三倍，并且杜絕其在運行中的斷路現(xiàn)象。武漢半導體生長爐退火爐的控溫系統(tǒng)采用多區(qū)PID智能控溫方法，利用可控硅三相過零觸法能自動智能調(diào)節(jié)輸出功率百分比，使溫度完全按照工藝編程指令要求。武漢半導體生長爐控溫精度小于等于一攝氏度，爐膛有效空間溫度均勻性達到正負三攝氏度，有效確保工件不過燒，不熔氧，又能力保證工件熱處理合格率達到百分之一百。